5G基地局向け吸収型SPDTスイッチ「NT1819」サンプル配布開始 chip one stop

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5G基地局向け吸収型SPDTスイッチ「NT1819」サンプル配布開始

2024/09/27日清紡マイクロデバイス RF/微波

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～業界トップレベルの高アイソレーション～

2024年9月26日

日清紡マイクロデバイス株式会社(代表取締役社長：吉岡圭一)は、業界トップレベル※1のアイソレーションを実現した5G基地局に最適なSPDTスイッチ「NT1819」のサンプル配布を本日9月26日から開始いたします。

スマート社会の実現に向けて、5Gサービスが開始されています。これにより、高速、低遅延かつ大容量のデータ通信が可能となり、私たちの生活や産業に大きな変化をもたらし始めています。

5G基地局には多くのアンテナがあり、それぞれが強い電波を送信します。電波の相互干渉を防ぐために送信アンプの歪み補償回路には、非常に高いアイソレーションとOff端子の50Ω終端機能を有するスイッチが必要です。

「NT1819」は、長年蓄積したRFデバイス技術により、5Gで使用しているsub-6帯域で60dB以上の高アイソレーションを実現し、隣接する素子間の干渉を低減させる事が可能です。また、50Ω終端機能を内蔵した事で、インピーダンスの不整合を防ぎます。これらの特性及び機能により、5G通信網の安定性を高め、幅広い用途にご利用いただけます。

詳しくはこちらをご覧下さい。

https://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/ja/about/info/20240926.html

企业HP：
https://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/

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