C3M0015065D Wolfspeed MOSFET - 商品詳細情報

C3M0015065D

Wolfspeed

MOSFET

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C3M0015065D

产品概要

Silicon Carbide Power 650V MOSFET C3M™ Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

ECCN : EAR99

HTSN : 8541290095

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Silicon Carbide Power 650V MOSFET C3M™ Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

ECCN : EAR99

HTSN : 8541290095

产品文档

3D CAD情報
- SamacSys
- UltraLibrarian
占用空间/符号/3D CAD信息
PCN/PDN(EOL)信息

规格

制造商名称: Wolfspeed

制品名: C3M0015065D

制品分类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS标准

系列名: C3M(TM)

FET类型: N-CH

Technology System: SiCFET(Silicon Carbide)

封装: TO-247-3

漏源电压: 650V

连续漏极电流: 120A

源漏开态电阻: 15mOhm

Gate Charge (Qg): 188nC

Input Capacitance (Ciss): 5011pF

动作温度范围: -40 to 175C

其它名称: 1697-C3M0015065D-M-ND | 1697-C3M0015065D-M | -3312-C3M0015065D-M-ND | 1697-C3M0015065D | C3M0015065D-M | -3312-C3M0015065D-M | -3312-C3M0015065D

原厂包装: Tube

制造商数量: 30

如果产品信息中有错误，请在此处指出。

产品文档

数据表
规格书	ZH_Cree_规格书_20200623181835518
规格书(English)	EN_Wolfspeed_Datasheet_20250313163734572
设计和仿真数据
符号/足迹/ 3D模型(UltraLibrarian)(English)	Download from Ultra Librarian

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关于图标/产品信息

库存信息 ▼

JP:日本, HK:香港, US:美国
EU:欧洲, AUS:澳大利亚
货源信息 ▼

厂商/正规代理店渠道

从授权经销商购入的半导体库存
产品信息 ▼

MOQ/SPQ
MOQ：这是可以订购的最低购买数量。下订单时请输入一个大于最小起订量的数字。
SPQ：这是可以订购的单位数量。订购时请输入SPQ倍数的数量。
卷轴处理
用空磁带或特殊夹具粘贴到磁带末端，放置卷轴，将其卷回包装表格（包装表格）并发送。它被制成可以按照原样安装到安装机器上。
处理可以从100件或更多。
PCN/PDN信息
当PCN信息（Product Change Notification 制造中的产品）或
PDN信息（Product Discontinuance Notification 生产停止通知）的规格更改可用时显示。
销售包装▼

散装
散装是将部件在零散状态下包装到袋子等，或者单独包装的产品。
卷带
卷带是从制造商收到的未经修改的原装卷带。
如果设定了制造商原装包装数量以下的MOQ，那么即使商品包装为卷带，也将以剪切带方式提供。
剪切带
剪切带是按订购数量，从制造商卷盘上剪取下来的状态。剪切带不包含卷头或卷尾。
如需要一条连续的剪切带，请填写备注栏。
※关于行货，即使您填写备注，我们也无法保证能提供连续的剪切带，敬请谅解。
环境认证 ▼

符合RoHS要求：符合2011/65 / EU（6种物质）

符合RoHS2要求：符合2015/863 / EU（10种物质）

不符合RoHS标准

无铅

含铅
货源信息 ▼

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