4N32SM onsemi IGBT和MOSFET栅极驱动光电耦合器 - 商品詳細情報
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4N32SM
4N32SM
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生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541498000
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数据表
设计、模拟用数据
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其他资料
数据表 | |
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规格书(English) | EN_onsemi_Datasheet_20250313180649290 |
设计和仿真数据 | |
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规格
- 制造商名称
- onsemi
- 制品名
- 4N32SM
- 制品分类
- IGBT和MOSFET栅极驱动光电耦合器
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 封装
- 6-SMD|Gull Wing
- 信道数
- 1
- 输入类型
- DC
- 输出类型
- Darlington With Base
- 绝缘电压
- 4170Vrms
- 输出电流/信道
- 150mA
- 最大输出电压
- 30V
- 动作温度范围
- -40 to 100C
- Mounting Type
- Surface Mount
- 包装(供应商)
- 6-SMD
- 正向电压 (Vf) 标准
- 1.2V
- Vce 饱和度(最大值)
- 1V
- ?流??比(最小?)
- 500%@10mA
- ??/????
- 5|100000ns(Max)
- ?流 - 直流正向 If
- 80mA
- 其它名称
- 2166-4N32SM-488
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