41. 场效应晶体管的基本
场效应晶体管 （FET: Field Effect
Transistor）中，根据结构不同分为2种。
一种是结型FET（JFET:
Junction gateFET），另一种是MOSFET（Metal Oxide Semiconductor
FET）。
基本工作（n通道型）
以n通道的MOSFET为例，对其基本工作进行说明。首先，在栅极施加电压，电子就会聚集在氧化膜和p型衬底的交界处。因此，氧化膜附近的p型半导体的电气特性发生变化，成为很薄的n通道层。另一方面，源极和漏极由n型半导体构成，如果在漏极-源极间施加电压，在漏极和源极间就会有透过很薄的n通道层的电流流过。也就是通过控制施加在栅极的电压的大小，可以控制漏极-源极间流过的电流。
MOSFET的主要特性
主要的最大额定值
| 漏极-源极间电压 |
|
表示可以施加在漏极-源极间的最大电压。也叫耐压 |
|---|---|---|
| 栅极-源极间电压 |
|
表示可以施加在栅极-源极间的最大电压
|
| 栅极电流 |
|
可以连续流过漏极的直流电流的最大值 |
| 漏极电流 |
|
在JFET使用的情况下，表示使栅极电压
|
为正时流向栅极的最大电流。在MOSFET使用的情况下，作为
主要的电气特性
| 栅漏电流 |
|
使漏极-源极间短路，在栅极-源极间施加负电压时流过的漏电流。在JFET上被使用的情况下，是元件工作中流过的栅极电流，在MOSFET上被使用的情况下，是通过氧化膜流出的漏电流，和JFET的值比起来非常小。 |
|---|