新产品“SCT3xxx xR系列”介绍
罗姆开发了最适合需要高效服务器电源或太阳光逆变器，电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET“SCT3xxx xR系列”产品。
此外，还开始提供搭载分立产品的SiC MOSFET评价板“P02SCT3040KR-EVK-001”，还提供了易于进行设备评估的解决方案。
“SCT3xxx xR系列”的特点
采用4端子封装(TO-247-4L)降低约35%的开关损耗
常规的3端子封装(TO-247N)由于源终端所具有的电感成分而引起栅极电压降低, 这是切换速度延迟的原因。
此次SCT3xxx xR系列采用4端子封装（TO-247-4L），由于可分离电源终端和驱动程序源终端，可减小电感成分带来的影响。由此，可最大限度地发挥SiC MOSFET高速切换性能，显著改善导通时的损耗。导通损耗和关断损耗之和，预计将比传统产品降低约35%的损耗。
SCT3xxx xR系列产品
评估板
P02SCT3040KR-EVK-001
- 通过改变罗姆制造的SCT3040KR(1200V 40m Ω TO-247-4L)评价用电路乘数，可对其他罗姆制造的SiC－MOSFET进行评价
- 不仅是TO-247-4L，还有TO-247-3L的通孔，可在同一基板上进行比较评价。
- 单电源（在+12V下工作）
- 可进行高达150A的双脉冲试验、高达500kHz的切换操作
- 支持各种电源拓扑（Buck,Boost,Half-Bridge）
- 内置栅极驱动绝缘电源，可通过可变电阻调整（+12V～+23V）
- 可通过跳线端子切换栅极驱动用负偏压和零偏压
- 内置防止上下臂同时接通，过电流保护功能（DESAT，OCP）
罗姆 SiC MOSFET
实现高速、低导通电阻化
它同时实现了硅器件无法实现的快速切换和低导通电阻，并在高温环境下提供了优异的电气性能。有助于大幅度降低切换损耗和减少外围零件的尺寸。
第三代SiC MOSFET器件向下一代器件演进
在世界上首次开发出采用 ※沟槽结构的SiC MOSFET，并成功量产。通过进一步实现低导通电阻的器件，可降低所有设备的功耗。※2018年10月罗姆调查
