恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET chip one stop

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恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET

2012/07/20NXP Semiconductors Power Supply

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转换功率用的空间节约型器件以及负载开关提升了恩智浦超小型低导通电阻

RDS(on) DFN MOSFET产品的组合

中国上海，2012年6月14日讯——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。
即将面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A，10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此导通损失小，功耗更低，电池使用寿命更长。
新型DFN2020 MOSFET高度仅为0.6毫米，比当今市场上大多数2 mm x 2 mm的产品更加轻薄，是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用，其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明，在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一，提供与其相当的热阻，能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装，如SO8封装、3 mm x 3 mm封装或TSSOP8封装。
新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线，截止到今年年末将有超过60种封装，封装尺寸为2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on) MOSFET的主要生产商，提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。
有关恩智浦新型DFN2020 MOSFET的更多信息，请访问http://www.nxp.com/ultra-small-mosfets
链接
 PMPB11EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、12 mOhm典型RDSon（10 V时）：http://www.nxp.com/pip/PMPB11EN
 PMPB20EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、16.5 mOhm典型RDSon（10 V时）：http://www.nxp.com/pip/PMPB20EN
 DFN2020MD-6封装：http://www.nxp.com/packages/SOT1220.html
 视频：首款2x2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET：http://www.youtube.com/watch?v=QnEWyTKjqZk
关于恩智浦半导体
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2011年公司营业额达到42亿美元。更多恩智浦相关信息，请登录公司官方网站http://cn.nxp.com/查询。
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前瞻性陈述
本文件包含有关恩智浦商业战略、财务状况、经营业绩、市场数据以及其他非历史事件等前瞻性陈述。这些陈述涉及诸多因素、风险和不确定事项，可能导致实际结果与前瞻性陈述中预计的结果存在重大差异。这些因素、风险和不确定事项如下：市场需求与半导体行业状况；恩智浦成功引进新技术和新产品的能力；终端市场对恩智浦产品的需求；产生足够现金、筹措足够资金或者在债务到期之前对债务进行再融资的能力；同时满足偿债服务要求与研发和投资要求的能力；准确预测市场需求并据此调整产能或者从第三方生产商获得供货的能力；利用第三方外包合作伙伴进行生产的能力，以及了解任何可能影响第三方业务伙伴或者双方关系事件的能力；充分、及时地从供应商处获得设备和材料供应的能力；避免经营问题和产品缺陷以及发现隐患并快速纠正的能力；建立战略合作伙伴关系、设立合资企业或与联盟伙伴成功合作的能力；赢得竞标以开发产品用于客户设备和产品的能力；成功树立品牌形象的能力；成功聘用并留住核心管理人员和高级产品设计师的能力；以及与所有供应商保持良好关系的能力。此外，本文件还包含有关半导体行业及恩智浦业务部门的整体信息，其实质为前瞻性陈述，基于对半导体行业恩智浦所处的市场和产品领域未来发展模式的各种假设。这是依据恩智浦自身当前所能获得的信息做出的假设，如果假设有误，则实际市场业绩可能会与预测结果存在差异。尽管恩智浦无法了解这些差异对其业务有何具体影响，但一旦出现，则可能对其未来的经营业绩、财务状况以及证券价格产生重大不利影响。因此，我们提示读者勿过度依赖本前瞻性声明，其仅对声明发布当日之前的业绩有效；此外，除履行美国联邦证券法律规定的持续披露重要信息的义务之外，恩智浦无意、亦无义务在本文件发布后对
任何前瞻性声明进行公开更新或修订，无论是反映任何未来的事件、情形或者其他情况。对于潜在风险和不确定因素，请参阅恩智浦向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件中所载风险因素一节。关于恩智浦SEC文件的副本可从恩智浦投资者关系网站www.nxp.com/investor 获取，或者登陆美国证券交易委员会网站www.sec.gov查阅。
若

Companies Website:
http://cn.nxp.com/

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