安森美半导体推出高性能场截止型IGBT，用于高能效电源转换 chip one stop

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安森美半导体推出高性能场截止型IGBT，用于高能效电源转换

2012/07/25ON Semiconductor Power Supply

新的1,200 V器件为大功率电磁感应加热及变频器应用提供极优方案

德国纽伦堡Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) – 2012年5月9日 - 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的场截止型(Field Stop) 绝缘门双极结晶体管(IGBT)，目标应用为工业电机控制及消费类产品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120应用于高性能电源转换方案，适合多种要求严格的应用，包括电磁炉、电饭煲及其它厨房小家电应用。
能源价格不断上升及围绕碳排放的环保因素，持续带动更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率电磁感应及变频器的应用。这些新的额定电压1,200伏(V)的IGBT采用深沟槽技术及先进的晶圆薄化及加工处理技术，提供极低的关闭损耗，同时在导通期间维持低通态电压，因而提供更低的开关损耗及导电损耗。这些器件提供15安培(A)、20 A及25 A额定电流等不同选择，且与极低正向压降及软恢复快速整流器组合封装，符合客户对高能效的严格要求，同时为他们提供高空间利用率的完整方案。
安森美半导体功率分立产品分部高级总监兼总经理John Trice说：“安森美半导体为汽车应用提供高性能及可靠的IGBT已超过十年，一直是市场上领先的供应商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我们在高压沟槽型技术及晶圆工艺技术的知识产权及能力，同时为多种终端市场的客户提供高质量及强固的方案，用于他们讲究高能效的电源应用。”
封装及价格
采用TO-247封装的场截止型IGBT器件节省电路板空间，经过优化，提供极低的通态压降和关闭开关损耗。NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG及NGTB25N120IHLWG电磁感应加
安森美半导体推出高性能场截止型 IGBT，用于高能效电源转换
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热专用IGBT每批量2,500片的单价分别为1.50、1.80及2.00美元。NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG及NGTB25N120LWG电机驱动专用IGBT每批量2,500片的单价分别为1.75、2.10及2.35美元。
PCIM – 安森美半导体展位 – 12号馆，371号展台 –
安森美半导体于5月8日至10日在PCIM现场展示电磁炉用功率模块及分立IGBT、高能效电机驱动及太阳能变频器等产品，地点为德国纽伦堡展览中心12号馆371号展位。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
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