AUIRF7749L2TR Infineon Technologies MOSFET - 商品詳細情報
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AUIRF7749L2TR
AUIRF7749L2TR
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生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
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数据表
设计、模拟用数据
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其他资料
数据表 | |
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规格书(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223012353323 |
设计和仿真数据 | |
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规格
- 制造商名称
- Infineon Technologies
- 制品名
- AUIRF7749L2TR
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 系列名
- Automotive/AEC-Q101/OptiMOS(TM)
- FET类型
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 封装
- DirectFET ISOMETRIC L8
- 漏源电压
- 60V
- 连续漏极电流
- 36A/345A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- 源漏开态电阻
- 1.5mOhm
- Vgs(th)
- 4 V
- Gate Charge (Qg)
- 275nC
- Vgs (Max)
- 60V
- Input Capacitance (Ciss)
- 10655pF
- 消耗电力
- 3.8|341W
- 动作温度范围
- -55 to 175C
- 其它名称
- SP001521068 | AUIRF7749L2DKR | AUIRF7749L2CT
- 原厂包装
- Tape & Reel
- 制造商数量
- 4000
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