IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IGBT分立 - 商品詳細情報
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IKP10N60TXKSA1
IKP10N60TXKSA1
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ライフサイクル : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
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データシート
設計・シミュレーション用データ
その他資料
データシート | |
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データシート(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223012009304 |
パッケージ情報 | |
外形寸法図 | JA_Infineon Technologies_外形寸法図_20230222222313219 |
技術資料 | |
アプリケーションノート(English) | EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175741220 |
製品仕様
製品説明
- *Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
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* Low switching losses
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* Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
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* Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
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* High ruggedness, temperature stable behavior
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* Low EMI emissions
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* Low gate charge
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* Very tight parameter distribution