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"NAND 闪存"搜索结果

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产品信息
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ECCN
HTSN
原产国
系列名
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Constitution
类型
镜头结构
镜头尺寸

W25N02JWSFIF

Winbond Electronics

NAND闪存

NANDFLASH2GBITSERIALNANDFLASH,1.8V

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3A991b.1.a.

SpiFlash(R) -40 to 85C(TA) Surface Mount

W25N02JWZEIC

Winbond Electronics

NAND闪存

2GBITSERIALNANDFLASH,1.8V

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3A991b.1.a.

SpiFlash(R) -40 to 85C(TA) Surface Mount

W25N02KVZEIR

Winbond Electronics

NAND闪存

2GBITSERIALNANDFLASH,3V

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3A991b.1.a.

SpiFlash(R) -40 to 85C(TA) Surface Mount

KTM4GH1AHI01

SMART Modular Technologies

NAND闪存

SMARTSEMIEMMC5.1FLASH,4GB,X1X4X8,95155170MBS,9.59.510MBS,153FBGA,1.8V3.3V,40°CTO85°CINDUSTRIAL

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EMMC x1/x4/x8 4Gb

KTM8GH2AHI01

SMART Modular Technologies

NAND闪存

SMARTSEMIEMMC5.1FLASH,8GB,X1X4X8,200MHZ,245MBPS,115MBPS,3335KIOPS,5630KIOPS,3.3V1.8V,153FBGA,INDUSTRIALTEMP

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EMMC x1/x4/x8 8Gb

S34ML04G100TFI000

Infineon Technologies

NAND闪存

SLCNANDFLASHPARALLEL3V3.3V4GBIT512MX820NS48PINTSOPITRAY

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3A991b.1.a.

ML-1 SLC NAND 3V 48-TFSOP Non-Volatile 512Mx8 Sectored 4G 2.7 to 3.6V 48 4Gb -40 to 85C Parallel FLASH-NAND S34ML04G100TFI000Z | -S34ML04G100TFI000 | 1274-1042 | 2832-S34ML04G100TFI000 Surface Mount FLASH 25ns 夏季优惠活动特价 2025符合优惠活动条件的产品 SaleProducts202506 SaleProducts202506zh 2024Q2CP_SEMI_Others

S34ML04G100TFV000

Infineon Technologies

NAND闪存

SLCNANDFLASH3V3.3V4GBIT512MX848PINTSOPITRAY

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3A991b.1.a.

ML-1 SLC NAND 3V 48-TFSOP Non-Volatile 512Mx8 4G 2.7 to 3.6V 4Gb -40 to 105C Parallel FLASH-NAND 2832-S34ML04G100TFV000 | S34ML04G100TFV000-ND | 428-4260 Surface Mount FLASH 25ns naflme

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

Micron Technology

NAND闪存

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3A991b.1.a.

48-TFSOP 128Mx8 1Gb -40 to 85C 186309 | -MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP:E

Micron Technology

NAND闪存

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3A991b.1.a.

Asynchronous 3.3V 48-TFSOP 256Mx8 2G 2Gb 0 to 70C -MT29F2G08ABAEAWP:E | 113916

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E

Micron Technology

NAND闪存

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3A991b.1.a.

63-VFBGA 256Mx8 2Gb -40 to 85C 114085 | -MT29F2G08ABBEAH4-IT:E

MT29F8G08ABACAWP-IT:C

Micron Technology

NAND闪存

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3A991b.1.a.

Asynchronous 3.3V 48-TFSOP 1Gx8 8G 8Gb -40 to 85C 122942 | -MT29F8G08ABACAWP-IT:C

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

Micron Technology

NAND闪存

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3A991b.1.a.

Asynchronous 1.8V 63-VFBGA 1Gx8 8G 8Gb -40 to 85C 122897 | -MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

MTFC32GAZAQDW-AAT

Micron Technology

NAND闪存

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MTFC32GAZAQHD-WT

Micron Technology

NAND闪存

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3A991b.1.a.

557-MTFC32GAZAQHD-WT

S34ML02G100TFV000

Infineon Technologies

NAND闪存

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ML-1 SLC NAND 3V 48-TFSOP 256Mx8 2G 2Gb -40 to 105C naflme

S34ML02G204TFI010

Infineon Technologies

NAND闪存

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ML-2 SLC NAND 48-TFSOP Non-Volatile 128Mx16 2.7 to 3.6V 2Gb -40 to 85C Parallel FLASH-NAND Surface Mount FLASH 25ns

S34ML04G100BHI000

Infineon Technologies

NAND闪存

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ML-1 SLC NAND 3|3.3V 63-VFBGA 512Mx8 4G 4Gb -40 to 85C S34ML04G100BHI000Z | 2832-S34ML04G100BHI000 | -S34ML04G100BHI000 | 1274-1041 naflme

S71KL256SC0BHB000

Infineon Technologies

NAND闪存

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Automotive/AEC-Q100/HyperFlash(TM) + HyperRAM(TM) KL HyperFlash|HyperRAM MCP 24-VBGA 100MHz 256M -40 to 105C 202506ROC

CAT2A100GKLBWA00EAA0

TDK

NAND闪存

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MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR

Micron Technology

NAND闪存

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63-VFBGA 256Mx8 2Gb -40 to 85C 557-1853-2 | MT29F2G08ABAEAH4-ITX:ETR-ND | MT29F2G08ABAEAH4-ITX:ETR | 557-1853-6 | 557-1853-1 | MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR-ND

MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR

Micron Technology

NAND闪存

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48-TFSOP Non-Volatile 256Mx8 2.7 to 3.6V 2Gb -40 to 85C Parallel FLASH-NAND Surface Mount FLASH

MT29F2G08ABAEAWP:E

Micron Technology

NAND闪存

SLCNANDFLASHPARALLEL3.3V2GBIT256MX848PINTSOPITRAY

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Asynchronous 3.3V 48-TFSOP Non-Volatile 256Mx8 Sectored 2G 2.7 to 3.6V 48 2Gb 0 to 70C Parallel FLASH-NAND -MT29F2G08ABAEAWP:E | 113916 Surface Mount FLASH

MT29F4G08ABADAWP:D

Micron Technology

NAND闪存

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Asynchronous 3.3V 48-TFSOP Non-Volatile 512Mx8 4G 2.7 to 3.6V 4Gb 0 to 70C Parallel FLASH-NAND 106673 | -MT29F4G08ABADAWP:D Surface Mount FLASH

MT29F4G08ABADAWP:D TR

Micron Technology

NAND闪存

SLCNANDFLASHPARALLEL3.3V4GBIT512MX825NS48PINTSOPITR

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3A991b.1.a.

Asynchronous 3.3V 48-TFSOP Non-Volatile 512Mx8 Sectored 4G 2.7 to 3.6V 48 4Gb 0 to 70C Parallel FLASH-NAND Surface Mount FLASH

MT29F4G08ABAFAWP-IT:F

Micron Technology

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