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リテルヒューズ、高周波電力アプリケーション向け ハイサイド・ローサイドゲートドライバー「IXD2012NTRシリーズ」を発表

2025/06/06リテルヒューズ  电源/电力

1.9Aのソース出力と2.3Aのシンク出力により、堅牢なゲート駆動性能とスイッチング効率の向上を実現

2025年6月5日

持続可能で接続性の高い、より安全な世界を実現する工業技術製造企業リテルヒューズ・インク(本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS)の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社(本社:東京都港区)は、ハーフブリッジ構成で2つのNチャネルMOSFETまたはIGBTを駆動するために設計された、高速のハイサイド・ローサイドゲートドライバー「IXD2012NTRシリーズ」を6月上旬に発売します。本製品は高周波電力アプリケーション向けに最適化され、優れたスイッチング性能と設計の柔軟性を備えています。

詳しくはこちらをご覧下さい。


企业HP:
http://www.littelfuse.co.jp/

リテルヒューズ新闻发布

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