IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGBTディスクリート - 商品詳細情報
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IGB20N60H3ATMA1
IGB20N60H3ATMA1
HTSN : 8541290095
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データシート | |
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データシート(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223012006839 |
パッケージ情報 | |
外形寸法図 | JA_Infineon Technologies_外形寸法図_20230222222307165 |
技術資料 | |
アプリケーションノート(English) | EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175947813 |
製品仕様
- 製品名
- IGB20N60H3ATMA1
- 製品分類
- IGBTディスクリート
- ライフサイクル
- 量産中
- RoHS
- RoHS対応
- コレクタエミッタ電圧
- 600V
- コレクタ電流
- 40A
- パッケージ
- TO-263-3 D2Pak TO-263AB
- IGBTタイプ
- FST
- 入力タイプ
- 標準
- その他の型番/品番
- IFEINFIGB20N60H3ATMA1 | IGB20N60H3DKR-ND | IGB20N60H3ATMA1DKR | IGB20N60H3ATMA1TR | 2156-IGB20N60H3ATMA1 | SP000852232 | IGB20N60H3CT | IGB20N60H3 | IGB20N60H3ATMA1-ND | IGB20N60H3TR-ND | IGB20N60H3DKR | IGB20N60H3ATMA1CT | IGB20N60H3-ND | IGB20N60H3CT-ND
- 動作温度範囲
- -40 to 175C
- 定格電力
- 170W
- メーカ荷姿
- Tape & Reel
- メーカ梱包数量
- 1000
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製品説明
- *Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
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* Low switching losses for high efficiency
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* Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
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* Fast switching behavior with low EMI emissions
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* Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
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* Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
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* Short circuit capability
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* Offering T j(max) of 175°C
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* Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom