1200 Vの62 mm CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュールは、M1H技術により、VGS(th), RDS(on) ドリフト、ゲート駆動電圧ウィンドウに関して、チップ性能が向上しています。
配信日:2023年11月21日
インフィニオン ニュースレター2023年11月号
1200 Vの62 mm CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュールは、M1H技術により、VGS(th), RDS(on) ドリフト、ゲート駆動電圧ウィンドウに関して、チップ性能が向上しています。
配信日:2023年11月21日
インフィニオン ニュースレター2023年11月号