1200 Vアプリケーション用EasyDUAL™ 1Bおよび2B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール、PressFITコンタクト技術およびNTC温度センサー内蔵。AlN / Al2O3基板もご利用いただけます。
詳細はこちら
配信日:2023年12月19日
インフィニオン ニュースレター2023年12月号
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