インフィニオンのOptiMOS™低耐圧および中耐圧パワーMOSFETは、革新的で進化したPQFN 5 x 6 mm²ソースダウンパッケージで市場投入されます。
ソースダウンパッケージの主な特長は、シリコンチップのアクティブ側を部品の底面側に向けていることです。
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配信日:2023年12月19日
インフィニオン ニュースレター2023年12月号
インフィニオンのOptiMOS™低耐圧および中耐圧パワーMOSFETは、革新的で進化したPQFN 5 x 6 mm²ソースダウンパッケージで市場投入されます。
ソースダウンパッケージの主な特長は、シリコンチップのアクティブ側を部品の底面側に向けていることです。
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インフィニオン ニュースレター2023年12月号