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1700V、750mシリコンカーバイド(SiC)MOSFET

1700V、750mシリコンカーバイド(SiC)MOSFET

ソースピンを分離することで、ドライバへの寄生ソースインダクタンス経路が大幅に削減されるため、アプリケーションのスイッチング時間とスイッチング損失の削減に役立ちます。

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配信日:2021年6月18日
出典:Littelfuse e-letter