1200V NチャネルSiC MOSFETを、定格25、40、80、120、160mΩでご用意しています。
従来品と比較し、効率、EMI挙動、スイッチング性能が向上しています。
ゲート酸化膜の信頼性が優れており、スイッチング性能が最適化されています。

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配信日：2021年9月17日
出典：Littelfuse e-letter