電荷補償の原理と独自のプロセス技術を使用して開発されたこれらのデバイスは、最も低いオンステート抵抗と低いゲート電荷、そして優れた dv/dt 性能を発揮します。
また、そのアバランシェ特性がデバイスの耐久性を高めます。

さらに、ウルトラジャンクション MOSFET はファストソフトリカバリ ボディダイオードを備えることにより、スイッチング損失および電磁妨害（EMI）を低減します。

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配信日：2021年11月11日
出典：Littelfuse e-letter