XPT™薄型ウエハー技術と第4世代(GenX4™)
トレンチIGBTプロセスを用いたこの1200V/110Aデバイスは、ゲート駆動の要件と伝導損の低減に役立ちます。
詳細はこちら
配信日:2021年5月21日
出典:Littelfuse e-letter
XPT™薄型ウエハー技術と第4世代(GenX4™)
トレンチIGBTプロセスを用いたこの1200V/110Aデバイスは、ゲート駆動の要件と伝導損の低減に役立ちます。
詳細はこちら
配信日:2021年5月21日
出典:Littelfuse e-letter