これらのデバイスは、最も低いオンステート抵抗と低いゲート電荷、そして優れたdv/dt性能を発揮します。
そのアバランシェ耐量によりデバイスの耐久性も向上しています。
詳細はこちら
配信日:2021年5月21日
出典:Littelfuse e-letter
これらのデバイスは、最も低いオンステート抵抗と低いゲート電荷、そして優れたdv/dt性能を発揮します。
そのアバランシェ耐量によりデバイスの耐久性も向上しています。
詳細はこちら
配信日:2021年5月21日
出典:Littelfuse e-letter